过去两周，半导体板块行情正在重新给存储制造公司估值。
美光\(MU与闪迪\)SNDK 的估值倍数已经脱离周期股的估值框架，铠侠市值一路攀升至日本市场第一名。
站在芯片制造公司的视角，究竟谁能真正量产超过 400 层的 NAND 闪存，答案已经基本清晰。
这道堆叠层数壁垒，在成为行业竞争难题之前，本质是物理层面的技术难题。
当存储堆叠层数拓展至 375 层、400 层时，如果存储单元选择布线（字线）继续使用金属钨，会受到线宽缩小带来的多重限制，出现电阻上升、信号传输变慢的问题。
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