��核心观点：AI电源器件已从”周期底部”迈入”结构性景气上行”。800V高压架构+单卡3kW/机柜1MW功率跃升，驱动功率器件（SiC/GaN）、模拟芯片（Drmos）、被动元件（MLCC/钽电容/电感等）三大品类量价齐升，单瓦价格有望翻倍以上，TAM有望实现4~5倍的增长
��功率模拟器件：SiC/GaN用量非线性增长，高压化重塑价值分布，功率密度提升Drmos同步扩容
— 传统架构功率器件仅0.62元/W，800V架构下全链路合计有望达到1.2-1.55元/W，翻倍以上，核心变化源自于高压化推动SiC从0到1（SST/PSU），高频化推动GaN渗透率提升（IBC/VRM）；
–模拟控制和驱动器件扩容加速，单台AI服务器DrMOS用量从数十颗增至数百颗，单机价值量从数百美元升至数千美元，未来垂直供电（VPD）趋势下，DrMOS向PCB背面/芯片正下方集成，Z轴供电方案（MPS等）对DrMOS性能要求更高，800V下耐压等级、开关频率、精度要求全面升级，价值通胀确定；
��被动元件：MLCC/钽电容/电感/薄膜电容/超容全面受益
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