1）存储晶圆通胀：AI带来的晶圆片数增长，HBM3E每GB容量消耗的晶圆面积约为DDR5的3倍；HBM4因堆叠层数提升至16-18层，该比例将攀升至3.8-4倍。TSV硅通孔、微凸点、混合键合等工艺会带来额外良率损失，进一步推高单位容量的硅片消耗；
2）逻辑测试片通胀：28nm工艺每100片正片晶圆需要配套5-8片测试片（含监控片、验证片），7nm工艺每100片正片晶圆需要配套20-25片测试片，3nm工艺每100片正片晶圆需要配套40-50片测试片；
3）测试时间通胀：存储芯片HBM测试点数量是普通DRAM的2倍，单晶圆测试时间增加50%，3DNAND堆叠层数每增加50层，测试时间增加30%；逻辑芯片从28nm到3nm，单晶圆测试时间增长了2.5倍；
WAT是晶圆厂工艺管控的核心设备，属于必配。WAT的核心功能是监控薄膜、光刻、刻蚀、离子注入等工艺是否达标，通过测阈值电压Vt、方块电阻Rs、接触电阻、漏电、线宽、击穿电压等工艺参数，提前发现晶圆工艺漂移，避免整片晶圆报废；
市值空间：目前每1万片晶圆对应8-10台WAT测试机，单台均价400-500万元，越复杂的芯片WAT用量越大且设备价格越高。25年国内大约12亿市场，广立微4.5亿，市占率约38%，2030年WAT将超过30亿市场，广立微预计占比70-80%（国内没有对手），对应21-24亿收入，30%净利率对应6.3-7.2亿净利率，给30倍PE对应190-220亿增量市值；此外，公司还有EDA软件业务（也包含并购硅光EDA公司LUCEDA），按照50倍PS对应150-250亿市值，硬件方面公司还有硅光晶圆OWAT等待26Q4样机推出，国内也是独家，每万片价值量是电芯片WAT的数倍，未来5年可以展望20亿收入增量6亿净利润，对应200亿市值，公司整体可看600亿，3倍空间！
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