一、痛点
1）AI芯片：HBM堆叠功耗高；CoWoS（硅中介层）翘曲/散热等限制，3/2nm先进制程堆叠成本高、良率承压；
2）光模块：1.6T升3.2T，FR4基板高频损耗大，热膨胀与高速不匹配；
3）先进封测：硅中介层+TSV大尺寸限制、翘曲、材料利用率低、成本高；
4）所有近期焦点：pcb+ccl+abf+ptfe+mSAP 底层都涉及！
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