1. 资本开支：未来三年计划年均capex约4,700亿日元，较2025年（约2,500亿日元）增长约60%；除产线设备外，还包含洁净室内装与基础设施投资，并预留扩产空间弹性。FY27投资额预计与FY26基本同级。
2. 研发投入：未来三年研发投入较FY25增长60%，达年均约2,300亿日元，重点投向第10/11代BiCS、超高IOPS SSD等新存储架构，以及Frontier Technology研究所的氧化物半导体（octa）器件开发。
3. 市场展望：2028年前NAND市场CAGR略超20%（约22%）；其中数据中心需求CAGR约46%，由推理AI应用（CAGR约86%）驱动；智能手机/PC短期进入小幅调整，今年部分预测略有下滑。
4. 供需与价格：受AI数据中心强需求与NAND供给约束推动，供需偏紧将持续至2027年下半年；NAND价格上行，多家机构估计2026年市场营收约为2025年的4倍，并延续至2027年。
5. 成本路线：前道每GB成本目标年均下降10%区间；每代密度提升50%以上；代际切换不再单纯以层数为KPI，而通过2D shrink与层数的最优组合实现成本竞争力，维持低于行业平均的每GB成本。
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