近期SemiAnalysis发布报告，以华为Kirin9030为对象，拆解对比SMIC N+3工艺与台积电N6，英特尔18A工艺。核心结论如下：
1)SMIC N+3 的最小金属间距（M0=32.5 nm）略小于 Intel 18A 出货版（36 nm）；
2)逻辑密度微超 TSMC N6 达 113 MTr/mm²，通过无 EUV 的 DUV 四重图形化实现；
3)整体 FEOL/BEOL 技术代仍落后 Intel 18A / TSMC N3 约一代，性能与能效差距显著；
4)后续华为以 3D LogicFolding 路线做战略性弥补。
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