1⃣磷化铟(InP)衬底结构性断供：2026年全球InP衬底需求260–300万片/年，有效产能仅60–75万片，供需缺口>70%；2寸InP衬底价格从~$800涨至$2300–2500/片（涨幅约190%）；MOCVD交期18个月，扩产滞后于AI需求
2⃣1.6T光模块InP用量暴增：800G需4–8颗InP激光器芯片，1.6T翻倍至8–16颗，1.6T对InP衬底是800G的4倍以上
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①InP衬底：子公司鑫耀半导体，现产能15万片/年（2–4英寸），拟扩至45万片/年（投资1.89亿），国内极少数能量产InP晶片
②锗资源：保有储量约940吨，国内唯一”采选→深加工→半导体材料”全产业链，锗锭2026年涨72.79%，出口管制受益
③铟+镓上游：高纯铟(7N)原料依托中国铟储量全球73%、镓90%，出口管制强化稀缺溢价
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