核心看点：功率+模拟IDM龙头，英飞凌、ST连续两轮SiC涨价，公司高压架构SiC电源模块、SST、GaN全面布局，周期拐点到来叠加AIDCHVDC产业趋势，业绩有望持续增长。
1⃣夯实IDM优势，专注硅基、化合物半导体，资本开支前置，收入弹性大。2025年四季度，士兰微电子8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目（厦门士兰集宏一期，规划投资额70亿人民币）顺利实现通线，预计2026年下半年将实现正式投产。公司规划在厦门建设12英寸高端模拟电路芯片生产线。项目规划总投资200亿元，计划分两期建设：一期投资100亿元人民币，二期投资约100亿元。两期建设完成后，将形成年产54万片12英寸高端模拟电路芯片的产能。
2⃣AIDCHVDC产业趋势明确，AI服务器电源管理芯片导入量产。英伟达提出800VDC架构，SiC、GaN功率元器件受益于SST技术。伊顿电气发布MVSST固态变压器2.0，将SiC模块应用于SST固态变压器。英伟达与英诺赛科就800VDC架构展开合作，后者提供GaN电源解决方案。6月12日，士兰微、三安光电、瀚天天成、科华数据等达成SST战略合作。公司应用于服务器的DrMOS电路、Efuse电路、多项控制器电路已在客户端测试或已导入量产。2025年，公司的Ⅱ代SiC-MOSFET已通过国内大厂的严苛认证，应用于AI算力中心电源上，实现大批量出货，同时配套销售的还有高性能中低压的MOSFET。
3⃣25年全年、26Q1业务盈利能力改善，未来经营业绩有望向好。2025年公司营收为130.52亿元，同比+16.32%；归母净利润为3.99亿元，同比+81.27%；扣非归母净利润为3.72亿元，同比+47.82%。2026年第一季度公司营收为35.19亿元，同比+17.31%；归母净利润为2.09亿元，同比+40.57%；扣非归母净利润为1.58亿元，同比+8.80%。
26年业绩预计同比翻倍增长，建议重点关注！
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