公司6月发布涨价函，针对所有硅外延片产品涨价15%，7月1日起执行。
功率半导体年中将迎第二轮普涨
本轮涨价本质是AI驱动的供需重塑。开年英飞凌涨5-15%、意法涨7%-14%，国内华润微/士兰微/捷捷微电/芯联集成MOS全线调涨10%-20%。年中二次涨价逻辑清晰：需求端，AI机柜功率从3-5kW飙至30-100kW，NVL72机架需198kW电源模块，SST将随Rubin Ultra量产商业化；供给端，台积电三星收缩6/8英寸成熟制程，全球8英寸利用率升至85%-90%；成本端，封装金属全线涨价，德州仪器、恩智浦计划6-7月调价，涨价潮向功率蔓延。
全产业链卡位，涨价弹性突出
民德覆盖晶圆代工（广芯微6英寸纯代工）、特种工艺（芯微泰克，背道减薄60μm）、外延片（参股晶睿电子，投前估值28亿）、IC设计（广微集成，Q1收入+193%）四大环节。广芯微目前订单排至7-8月满载运行，外部客户占比近60%，公司明确随行就市按月调价。五大工艺平台全部搭建完成，VDMOS覆盖60V-2000V，消费类良率98%+、工业类95%+。
SiC业务超预期
碳化硅行业2026年迎来周期拐点，全球SiC功率器件市场预计从2025年34亿美元增长至2030年近100亿美元（CAGR 20.3%），6英寸衬底价格底部回暖，上游衬底厂满产运行。民德通过广芯微一期碳化硅产线+参股晶睿电子卡位外延片上游+芯微泰克超薄背道工艺（SiC模块封装关键环节，最薄60μm），已形成硅基+碳化硅双轮驱动格局，SiC业务进展超预期。
定增加速扩产，抢占市场窗口
拟定增10亿元（7亿扩产+3亿补流），6月提交深交所、预计10月资金到位，新增IGBT/特高压VDMOS/BCD产能6万片/月，总产能4万→10万片/月。产能空间测算：一期10万片/月满产对应年产值6-10亿元（取决于产品结构与价格），按当前单片均价600-1000元计算；公司已预留二期用地，远期规划扩至30万片/月，对应年产值约18-30亿元，#相比2025年广芯微6000万收入有30-50倍成长空间。景气上行期加速扩产抢占高压大功率赛道，先发优势显著。
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